* Form Factor : M.2 (2280)
* Interface : PCIe Gen 4.0 x 4; NVMe 1.3c
Storage Memory : Samsung V-NAND 3bit MLC
* Sequential Read : Up to 6900 MB/s Sequential Read
* Sequential Write : Up to 5000 MB/s Sequential Write
…………………………………………………………………….
* عامل الشكل : M.2 (2280)
* الواجهة: PCIe Gen 4.0 x 4؛ ان في مي 1.3 ج ذاكرة التخزين: سامسونج V-NAND 3bit MLC
* قراءة متسلسلة: ما يصل إلى 6900 ميجابايت/ثانية قراءة متسلسلة
* الكتابة المتسلسلة: ما يصل إلى 5000 ميجابايت/ثانية من الكتابة المتسلسلة
SSD SAMSUNG 980 PRO 500GB
115.000 د.ع
* عامل الشكل : M.2 (2280)
* الواجهة: PCIe Gen 4.0 x 4؛ ان في مي 1.3 ج ذاكرة التخزين: سامسونج V-NAND 3bit MLC
* قراءة متسلسلة: ما يصل إلى 6900 ميجابايت/ثانية قراءة متسلسلة
* الكتابة المتسلسلة: ما يصل إلى 5000 ميجابايت/ثانية من الكتابة المتسلسلة
Out of stock
Be the first to review “SSD SAMSUNG 980 PRO 500GB” Cancel reply
Related products
الهاردات
About this item
- Impressive Gen4 Storage Performance: A PCIe Gen4 x4 controller delivers up to 5,000MB/sec sequential read and 4,400MB/sec sequential write speeds, for outstanding read, write, and response times.
- Your PC Made Faster: Load games, boot Windows, open and transfer files, all faster than ever.
- High-Speed Gen4 PCIe x4 NVMe 1.4 M.2 Interface: Using PCIe Gen4 technology for maximum bandwidth, the MP600 CORE XT delivers great storage performance.
- High-Density 3D QLC NAND: Provides the ideal combination of performance and value.
- Compact M.2 2280 Form-Factor Great for Notebooks: Fits directly onto most motherboards, making a great upgrade for laptops and notebooks with PCIe Gen4-capable CPUs.
الهاردات
* عامل الشكل : M.2 (2280)* الواجهة: PCIe Gen 4.0 x 4؛ ان في مي 1.3 ج ذاكرة التخزين: سامسونج V-NAND 3bit MLC* قراءة متسلسلة: ما يصل إلى 6900 ميجابايت/ثانية قراءة متسلسلة* الكتابة المتسلسلة: ما يصل إلى 5000 ميجابايت/ثانية من الكتابة المتسلسلة
1- سرعة PCIe® 4.0 NVMe ™ الحقيقية (تصل إلى 7000 ميجابايت / ثانية للقراءات التسلسلية ، 5100 ميجابايت / ثانية للكتابات التسلسلية)2- • لأجهزة الألعاب ، متوافق فقط مع Playstation® 5.3- (DRAM (1 جيجا بايت LPDDR44- فتحة M.2 PCIe Gen4
الهاردات
SAMSUNG T5 EVO Portable SSD 8TB, USB 3.2 Gen 1 External Solid State Drive, Seq. Read Speeds Up to 460MB/s for Gaming and Content Creation, MU-PH8T0S/AM, Black ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ SAMSUNG T5 EVO Portable SSD 8TB 1- USB 3.2 Gen 1 external solid state drive (Seq.) 2- Printing access to 460 MB/s for children, content, 3- MU-PH8T0S/AM, black 4- Fall resistance and protection for up to 6 years 5- Your work is protected with security levels through 256-bit AES readers ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ 1- محرك أقراص USB 3.2 Gen 1 خارجي بذاكرة مصنوعة من مكونات صلبة (Seq.) 2- وصول الطباعة إلى 460 ميجابايت/ثانية للأطفال، المحتوى، 3- MU-PH8T0S/AM، أسود 4- مقاومة السقوط والحماية حتى 6 سنوات 5- عملك محمي بمستويات أمان ولذلك من خلال أجهزة القراءة 256 بت AES
الهاردات
* عامل الشكل : M.2 (2280)* الواجهة: PCIe Gen 4.0 x 4؛ ان في مي 1.3 ج ذاكرة التخزين: سامسونج V-NAND 3bit MLC* قراءة متسلسلة: ما يصل إلى 6900 ميجابايت/ثانية قراءة متسلسلة* الكتابة المتسلسلة: ما يصل إلى 5000 ميجابايت/ثانية من الكتابة المتسلسلة
الهاردات
Lexar NS100 512GB 2.5” SATA III Internal SSD, Solid State Drive, Up to 550MB/s Read (LNS100-512RBNA) ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ 1- قم بترقية الكمبيوتر المحمول أو الكمبيوتر المكتبي لبدء التشغيل والبيانات بشكل أسرع2-عمليات النقل وتحميل التطبيقات بسرعات قراءة تصل إلى 550 ميجابايت / ثانية3- أداء أسرع وأكثر موثوقية من الأقراص الصلبة التقليدية4- مقاومة الصدمات والاهتزازات مع عدم وجود أجزاء متحركة
الهاردات
1. 2280 PCIe Internal SSD, 2. Solid State Drive, Up to 3500MB/s Read ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ قراءة تصل إلى 3300 ميجابايت / ثانية ،
SAMSUNG 990 PRO SSD 4TB - يدعم شريحة SDRAM MZ-V9P2T0BW ، سعة 4 تيرابايت 1- التطبيق: كمبيوتر شخصي ، وحدة تحكم ألعاب ، كمبيوتر محمول 2- عامل الشكل: م 2 3- الواجهة: PCIe Gen 4 x4 4-ذاكرة التخزين: Samsung V-Nand 3-bit MLC 5- ذاكرة الكاش: Samsung low Power DDR4 SDRAM 1TB 6- سرعة القراءة المتتابعة (2 تيرابايت): 7450 ميغا بايت / ثانية 7- سرعة الكتابة المتتابعة (2 تيرابايت): 6900 ميغا بايت / ثانية
- Performance: Up to 7,450 MB/s Sequential Read, Up to 6,900 MB/s Sequential Write
- Capacity: 4TB
- Interface: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0
- DRAM Cache: Samsung 2GB DDR4 SDRAM
Reviews
There are no reviews yet.