Lexar NM620 M.2- 500GB
55.000 د.ع
1. 2280 PCIe Internal SSD,
2. Solid State Drive, Up to 3500MB/s Read
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
قراءة تصل إلى 3300 ميجابايت / ثانية ،
Be the first to review “Lexar NM620 M.2- 500GB” Cancel reply
Related products
1- سرعة PCIe® 4.0 NVMe ™ الحقيقية (تصل إلى 7000 ميجابايت / ثانية للقراءات التسلسلية ، 5100 ميجابايت / ثانية للكتابات التسلسلية)2- • لأجهزة الألعاب ، متوافق فقط مع Playstation® 5.3- (DRAM (1 جيجا بايت LPDDR44- فتحة M.2 PCIe Gen4
SAMSUNG 870 QVO SATA III SSD 1TB 2.5" Internal1- Read speed: 560MB/s2- Writing speed: 530MB/s3- 2.5 Inches4- Chipset type: QLC
يتوافق مع اجهزت steam deck —————————————————————————- Capacity: 1TB Form Factor: M.2 2230 S3-M Interface: PCIe Gen4 x4 Connector: M.2 Sequential Read Performance: 5150MB/s Sequential Write Performance: 4900MB/s Random Read: 7400004KB IOPS Random Write: 8000004KB IOPS Dimensions (L x W x H): 1.18" x 0.87" x 0.09"
الهاردات
SAMSUNG T5 EVO Portable SSD 8TB, USB 3.2 Gen 1 External Solid State Drive, Seq. Read Speeds Up to 460MB/s for Gaming and Content Creation, MU-PH8T0S/AM, Black ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ SAMSUNG T5 EVO Portable SSD 8TB 1- USB 3.2 Gen 1 external solid state drive (Seq.) 2- Printing access to 460 MB/s for children, content, 3- MU-PH8T0S/AM, black 4- Fall resistance and protection for up to 6 years 5- Your work is protected with security levels through 256-bit AES readers ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ 1- محرك أقراص USB 3.2 Gen 1 خارجي بذاكرة مصنوعة من مكونات صلبة (Seq.) 2- وصول الطباعة إلى 460 ميجابايت/ثانية للأطفال، المحتوى، 3- MU-PH8T0S/AM، أسود 4- مقاومة السقوط والحماية حتى 6 سنوات 5- عملك محمي بمستويات أمان ولذلك من خلال أجهزة القراءة 256 بت AES
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~1- Read speed: 560MB/s2- Writing speed: 530MB/s3- Port type: SATA 2.54- Cache type: DRAM (LPDDR4 512MB).
1- سرعة القراءة: 560 ميغا بايت / ثانية2- سرعة الكتابة: 530 ميغا بايت / ثانية3- نوع المنفذ: SATA 2.5
الهاردات
* عامل الشكل : M.2 (2280)* الواجهة: PCIe Gen 4.0 x 4؛ ان في مي 1.3 ج ذاكرة التخزين: سامسونج V-NAND 3bit MLC* قراءة متسلسلة: ما يصل إلى 6900 ميجابايت/ثانية قراءة متسلسلة* الكتابة المتسلسلة: ما يصل إلى 5000 ميجابايت/ثانية من الكتابة المتسلسلة
* عامل الشكل : M.2 (2280)* الواجهة: PCIe Gen 4.0 x 4؛ ان في مي 1.3 ج ذاكرة التخزين: سامسونج V-NAND 3bit MLC* قراءة متسلسلة: ما يصل إلى 6900 ميجابايت/ثانية قراءة متسلسلة* الكتابة المتسلسلة: ما يصل إلى 5000 ميجابايت/ثانية من الكتابة المتسلسلة
Reviews
There are no reviews yet.