يتوافق مع اجهزت steam deck
—————————————————————————-
Capacity: 1TB
Form Factor: M.2 2230 S3-M
Interface: PCIe Gen4 x4
Connector: M.2
Sequential Read Performance: 5150MB/s
Sequential Write Performance: 4900MB/s
Random Read: 7400004KB IOPS
Random Write: 8000004KB IOPS
Dimensions (L x W x H): 1.18″ x 0.87″ x 0.09″
WD SN740 1 TB SSD M.2 2230 30mm
155.000 د.ع
يتوافق مع اجهزت steam deck
—————————————————————————-
Capacity: 1TB
Form Factor: M.2 2230 S3-M
Interface: PCIe Gen4 x4
Connector: M.2
Sequential Read Performance: 5150MB/s
Sequential Write Performance: 4900MB/s
Random Read: 7400004KB IOPS
Random Write: 8000004KB IOPS
Dimensions (L x W x H): 1.18″ x 0.87″ x 0.09″
Be the first to review “WD SN740 1 TB SSD M.2 2230 30mm” Cancel reply
Related products
الهاردات
Lexar NS100 512GB 2.5” SATA III Internal SSD, Solid State Drive, Up to 550MB/s Read (LNS100-512RBNA) ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ 1- قم بترقية الكمبيوتر المحمول أو الكمبيوتر المكتبي لبدء التشغيل والبيانات بشكل أسرع2-عمليات النقل وتحميل التطبيقات بسرعات قراءة تصل إلى 550 ميجابايت / ثانية3- أداء أسرع وأكثر موثوقية من الأقراص الصلبة التقليدية4- مقاومة الصدمات والاهتزازات مع عدم وجود أجزاء متحركة
المنتجات الاكثر طلبا
النموذج والقدرة MZ-V9P2T0BW ، سعة 1 تيرابايت 1- التطبيق: كمبيوتر شخصي ، وحدة تحكم ألعاب ، كمبيوتر محمول 2- عامل الشكل: م 2 3- الواجهة: PCIe Gen 4 x4 4-ذاكرة التخزين: Samsung V-Nand 3-bit MLC 5- ذاكرة الكاش: Samsung low Power DDR4 SDRAM 1TB 6- سرعة القراءة المتتابعة (2 تيرابايت): 7450 ميغا بايت / ثانية 7- سرعة الكتابة المتتابعة (2 تيرابايت): 6900 ميغا بايت / ثانية
1- سرعة القراءة: 560 ميغا بايت / ثانية2- سرعة الكتابة: 530 ميغا بايت / ثانية3- نوع المنفذ: SATA 2.5
الهاردات
1. 2280 PCIe Internal SSD, 2. Solid State Drive, Up to 3500MB/s Read ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ قراءة تصل إلى 3300 ميجابايت / ثانية ،
SAMSUNG 870 QVO SATA III SSD 4TB 2.5" Internal1- Read speed: 560MB/s2- Writing speed: 530MB/s3- 2.5 Inches4- Chipset type: QLC
* سرعات كتابة قراءة متتابعة تصل إلى 3500 3000 ميجابايت ثانية* (DRAM (2 جيجا بايت LPDDR4.2 جيجا بايت* فتحة M.2 PCIe Gen3* نوع الكاش: (DRAM (2GB LPDDR4
الهاردات
* عامل الشكل : M.2 (2280)* الواجهة: PCIe Gen 4.0 x 4؛ ان في مي 1.3 ج ذاكرة التخزين: سامسونج V-NAND 3bit MLC* قراءة متسلسلة: ما يصل إلى 6900 ميجابايت/ثانية قراءة متسلسلة* الكتابة المتسلسلة: ما يصل إلى 5000 ميجابايت/ثانية من الكتابة المتسلسلة
SAMSUNG 870 EVO 1TB 2.5 Inch SATA III Internal SSD~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~1- Read speed: 560MB/s2- Writing speed: 530MB/s3- Port type: SATA 2.54- Cache type: DRAM (LPDDR4 512MB)
Reviews
There are no reviews yet.