1- 1TB Storage Capacity
2- Max Read Speed: 170 MB/s
3- Max Write Speed: 90 MB/s
4- A2 / UHS-I / V30 / U3 / Class 10
5- Operating Temperature: -13 to 185°F/ -25 to 85°C
6- Storage Temperature: -40 to 185°F/ -40 to 85°C
7- Durability: Shockproof, Temperature Extremes, Waterproof, X-Ray Proof
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~
1- سعة تخزينية 1 تيرابايت
2- أقصى سرعة للقراءة: 170 ميجابايت/ثانية
3- أقصى سرعة للكتابة: 90 ميجابايت/ثانية
4-A2/UHS-I/V30/U3/الفئة 10
5- درجة حرارة التشغيل: -13 إلى 185 درجة فهرنهايت/ -25 إلى 85 درجة مئوية
6- درجة حرارة التخزين: -40 إلى 185 درجة فهرنهايت/ -40 إلى 85 درجة مئوية
7- المتانة: مقاوم للصدمات، ودرجات الحرارة القصوى، ومقاوم للماء، ومقاوم للأشعة السينية
Sandisk microSDXC Extreme Pro 1TB (A2/ V30/ U3/ R170/ W90
175.000 د.ع
1- سعة تخزينية 1 تيرابايت
2- أقصى سرعة للقراءة: 170 ميجابايت/ثانية
3- أقصى سرعة للكتابة: 90 ميجابايت/ثانية
4-A2/UHS-I/V30/U3/الفئة 10
5- درجة حرارة التشغيل: -13 إلى 185 درجة فهرنهايت/ -25 إلى 85 درجة مئوية
6- درجة حرارة التخزين: -40 إلى 185 درجة فهرنهايت/ -40 إلى 85 درجة مئوية
7- المتانة: مقاوم للصدمات، ودرجات الحرارة القصوى، ومقاوم للماء، ومقاوم للأشعة السينية
غير متوفر في المخزون
كن أول من يقيم “Sandisk microSDXC Extreme Pro 1TB (A2/ V30/ U3/ R170/ W90” إلغاء الرد
منتجات ذات صلة
~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~1- Read speed: 560MB/s2- Writing speed: 530MB/s3- Port type: SATA 2.5
MZ-V9P2T0BW ، سعة 2 تيرابايت 1- التطبيق: كمبيوتر شخصي ، وحدة تحكم ألعاب ، كمبيوتر محمول 2- عامل الشكل: م 2 3- الواجهة: PCIe Gen 4 x4 4-ذاكرة التخزين: Samsung V-Nand 3-bit MLC 5- ذاكرة الكاش: Samsung low Power DDR4 SDRAM 1TB 6- سرعة القراءة المتتابعة (2 تيرابايت): 7450 ميغا بايت / ثانية 7- سرعة الكتابة المتتابعة (2 تيرابايت): 6900 ميغا بايت / ثانيةSAMSUNG 990 PRO SSD 2TB PCIe 4.0 M.2 Internal Solid State Drive, Fastest Speed for Gaming, Heat Control, Direct Storage and Memory Expansion for Video Editing, Heavy Graphics, MZ-V9P1T0B/AM ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ Model, capacity MZ-V9P2T0BW, 2TB 1- Application: PC, Game console, Laptop 2- Form factor: M.2 3- Interface: PCIe Gen 4 x4 4-Storage Memory: Samsung V-Nand 3-bit MLC 5- Cache Memory: Samsung low Power DDR4 SDRAM 1TB 6- Sequential Read Speed (2TB) : 7450MB/s 7- Sequential Write Speed (2TB): 6900MB/s
الهاردات
* عامل الشكل : M.2 (2280)* الواجهة: PCIe Gen 4.0 x 4؛ ان في مي 1.3 ج ذاكرة التخزين: سامسونج V-NAND 3bit MLC* قراءة متسلسلة: ما يصل إلى 6900 ميجابايت/ثانية قراءة متسلسلة* الكتابة المتسلسلة: ما يصل إلى 5000 ميجابايت/ثانية من الكتابة المتسلسلة
SAMSUNG 870 QVO SATA III SSD 1TB 2.5" Internal1- Read speed: 560MB/s2- Writing speed: 530MB/s3- 2.5 Inches4- Chipset type: QLC
المنتجات الاكثر طلبا
النموذج والقدرة MZ-V9P2T0BW ، سعة 1 تيرابايت 1- التطبيق: كمبيوتر شخصي ، وحدة تحكم ألعاب ، كمبيوتر محمول 2- عامل الشكل: م 2 3- الواجهة: PCIe Gen 4 x4 4-ذاكرة التخزين: Samsung V-Nand 3-bit MLC 5- ذاكرة الكاش: Samsung low Power DDR4 SDRAM 1TB 6- سرعة القراءة المتتابعة (2 تيرابايت): 7450 ميغا بايت / ثانية 7- سرعة الكتابة المتتابعة (2 تيرابايت): 6900 ميغا بايت / ثانية
1- سرعة القراءة: 560 ميغا بايت / ثانية2- سرعة الكتابة: 530 ميغا بايت / ثانية3- نوع المنفذ: SATA 2.5
1. تصل إلى 1050 ميغا بايت / ثانية ، 2. USB 3.2 Gen2 ، متين ، 3- التوافق: PC / Mac / Android / iPad Pro / iPad Air / PS5 / Xbox Series X | S.
هناك العديد من الأشكال المختلفة لهذا المنتج. يمكن اختيار الخيارات على صفحة المنتجسامسونج تي 7 شيلد 2 تيرابايت، اس اس دي محمول، 1. ما يصل إلى 1050 برميل/الثانية، 2. USB 3.2 Gen2، متين، 3. IP65 مقاوم للماء والغبار، 4. للمصورين ومنشئي المحتوى والألعاب، 5. محرك الأقراص ذو الحالة الصلبة الممتد (MU-PE2T0S/AM)، أسود
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.