يتوافق مع اجهزت steam deck
—————————————————————————-
Capacity: 1TB
Form Factor: M.2 2230 S3-M
Interface: PCIe Gen4 x4
Connector: M.2
Sequential Read Performance: 5150MB/s
Sequential Write Performance: 4900MB/s
Random Read: 7400004KB IOPS
Random Write: 8000004KB IOPS
Dimensions (L x W x H): 1.18″ x 0.87″ x 0.09″
كن أول من يقيم “WD SN740 1 TB SSD M.2 2230 30mm” إلغاء الرد
منتجات ذات صلة
الهاردات
* عامل الشكل : M.2 (2280)* الواجهة: PCIe Gen 4.0 x 4؛ ان في مي 1.3 ج ذاكرة التخزين: سامسونج V-NAND 3bit MLC* قراءة متسلسلة: ما يصل إلى 6900 ميجابايت/ثانية قراءة متسلسلة* الكتابة المتسلسلة: ما يصل إلى 5000 ميجابايت/ثانية من الكتابة المتسلسلة
SAMSUNG T7 Shield 1TB, Portable SSD, up to 1050MB/s, USB 3.2 Gen2, Rugged, IP65 Rated, for Photographers, Content Creators and Gaming, External Solid State Drive ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ 1. up-to 1050MB/s, 2. USB 3.2 Gen2, Rugged, 3- Compatibility: PC/ Mac/ Android/ iPad Pro/iPad Air/ PS5/ Xbox Series X|S 4- 3m drop resistant construction. 5- IP65 water and [...]
هناك العديد من الأشكال المختلفة لهذا المنتج. يمكن اختيار الخيارات على صفحة المنتجالمنتجات الاكثر طلبا
SAMSUNG 990 PRO SSD 2TB PCIe 4.0 M.2 Internal Solid State Drive, Fastest Speed for Gaming, Heat Control, Direct Storage and Memory Expansion for Video Editing, Heavy Graphics, MZ-V9P1T0B/AM ~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~ Model, capacity MZ-V9P2T0BW, 1TB 1- Application: PC, Game console, Laptop 2- Form factor: M.2 3- Interface: PCIe Gen 4 x4 4-Storage Memory: Samsung V-Nand 3-bit [...]
1- سرعة القراءة: 560 ميغا بايت / ثانية2- سرعة الكتابة: 530 ميغا بايت / ثانية
SAMSUNG 870 QVO SATA III SSD 1TB 2.5" Internal1- Read speed: 560MB/s2- Writing speed: 530MB/s3- 2.5 Inches4- Chipset type: QLC
SAMSUNG 870 EVO 1TB 2.5 Inch SATA III Internal SSD~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~1- Read speed: 560MB/s2- Writing speed: 530MB/s3- Port type: SATA 2.54- Cache type: DRAM (LPDDR4 512MB)
* سرعات كتابة قراءة متتابعة تصل إلى 3500 3000 ميجابايت ثانية* (DRAM (2 جيجا بايت LPDDR4.2 جيجا بايت* فتحة M.2 PCIe Gen3* نوع الكاش: (DRAM (2GB LPDDR4
الهاردات
* عامل الشكل : M.2 (2280)* الواجهة: PCIe Gen 4.0 x 4؛ ان في مي 1.3 ج ذاكرة التخزين: سامسونج V-NAND 3bit MLC* قراءة متسلسلة: ما يصل إلى 6900 ميجابايت/ثانية قراءة متسلسلة* الكتابة المتسلسلة: ما يصل إلى 5000 ميجابايت/ثانية من الكتابة المتسلسلة
المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.